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单晶硅棒
产品编号: SS/MS/MI
型号：N 或 P
掺杂剂：磷或硼
晶向：＜111＞、＜100＞、＜110＞
直径范围：ф 1.5 ″-ф12″ 电阻率范围：0.5－3－80Ω.
cm 可按客户要求进行分档。
断面电阻率不均匀率：无 少子寿命：≥10μs
注： 其它规格如氧、碳含量，微缺陷等与客户面议。 |
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单晶硅片
产品编号: SS/MS/MW
型号： N 或 P
掺杂剂：磷或硼
晶向：＜111＞、＜100＞、＜110＞
直径范围：ф 1.5 ″-ф12″
厚度：200-240um 电 阻 率范围： 0.5－3－80Ω.
cm 可按客户要求进行分档。 少子寿命：≥10μs
注：其它规格如氧、碳含量， 微缺陷等与客户面议。
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单晶硅碎片
产品编号: SS/MS/MC
型号：N 或 P
掺杂剂：磷或硼
直径范围：ф1.5″-ф12″ 厚度：200-240um
电阻率范围：大于0.5Ω.cm 注：其它规格如破碎度等与客户面议 |
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多晶硅碎
产品编号: SS/PS/PC
型号：N 或 P
掺杂剂：磷或硼
纯度：4N，5N， 电阻率范围：大于0.5Ω.cm.
粒度：2-150 mm 包装：30KG 塑料箱
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多晶硅原料
产品编号: SS/PS/PI
型号：N 或 P
掺杂剂：磷或硼
纯度：6N，7N
电阻 率范围：大于0.5Ω.cm.
粒度：2-150 mm |
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多晶硅片
产品编号: SS/PS/PW
型号：N 或 P
掺杂剂：磷或硼
直径范围：ф 1.5 ″-ф12″
厚度：200-300um
电 阻 率范围：0.5－3Ω.cm
少子寿命：≥5μs
注：其它规格如氧、碳含量，微缺陷等与客户面议。 |
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