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随着信息产业化的发展，各种各样的新材料就像雨后的春笋 ,纷纷崭露头角，而如今的半导体材料已经成为迅速发展的电子及光电产业的衣食父母，成为通往信息高速公路的必经桥梁，也是我们与现代化生活紧密联系不可缺少的纽带。单晶硅硅片作为主要的半导体材料之一，广泛应用于通信、科研、生产和日常生活等领域，尤其是在电子技术领域中，他所起的核心与心脏作用更不容忽视。目前，国际市场对单晶硅的需求日益高涨，在此压力下，生产商紧锣密鼓，加快技术革新和生产步伐。既为了满足客户、又要符合社会发展，各种技术和生产指标接连不断的被突破，使单晶硅硅片正朝着大直径、高度的晶粒完整性方向发展。
亚洲是世界生产半导体材料的主要基地，汇集了世界最先进的科研和生产力量。中彰国际作为亚洲半导体领域的一员，我们拥有业内一流的技术和和生产线，为你提供最可信、最快捷的服务，严格遵照客户的要求，提供各种质量一流的半导体材料。
单晶硅的导电性主要由掺杂所决定的，根据掺杂物的不同 ,单晶硅分为P型(掺硼，即 ⅢA族)和N型（掺磷或锑、砷即 ⅤA族）,其电阻率介于典型的金属和典型的绝缘体之间（10 -4 — 10 2 欧姆 .厘米），导电性能介于导体与绝缘体之间。由于它的半导体性能，单晶硅硅片主要用作现代化超大规模集成电路的衬底材料，一般通过拉晶（或区熔）、切片、倒角、磨片、腐蚀、抛光、清洗等工艺过程做成的集成电路级半导体硅片。目前，单晶硅硅片的尺寸逐渐向大尺寸的方向发展，根据客户要求，中彰国际可以提供各种类型（直径为ф1.5″-ф12″）的直拉抛光片、直拉礳片、腐蚀片和区熔磨片以及其他化合物半导体材料和元素半导体材料，如砷化镓、磷化镓、单晶锗等。
单晶硅硅棒
型号： N 或 P
掺杂剂：磷或硼
晶向：＜ 111 ＞、＜ 100 ＞、＜ 110 ＞
直径范围： ф 1.5 ″ -ф12″
电 阻 率范围： 10 － 3 － 80Ω.cm 可按客户要求进行分档。
断面电阻率不均匀率：无
少子寿命： ≥ 10 μ s
位错密度：无
注： 其它规格如氧、碳含量，微缺陷等与客户面议。
单晶硅切磨片
直径范围： Φ 1.5 〞 - Φ 12 〞
厚度公差： <5 μ m
平行度： < 3 μ m
翘曲度： <20 μ m
注： 其它参数如氧、碳含量、掺杂等与客户面议。
200mm抛光硅片
生产方法：直拉（ CZ）
直径与公差： 200mm ± 0.2
厚度：用户要求或按 SEMI标准
掺杂剂型号： P型/硼、N型/磷
晶相： <100>/<111>
电阻率 ： 0.1-50 Ω. cm
径向电阻率变化（ %）：P型<5，N型<15
氧含量与公差： ( 5.0-7.8) x E17±0.5
径向氧含量变化 ： < 5%
碳含量 ：≤ 2.0 xE 16 at/cm -3
金属铁含量 : (Fe) ≤ 5.0 x E10at/cm -3
表面金属 : 铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 2.5 xE10 at/cm -3
铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙 ≤ 1.0 xE 11at/cm -3
总厚度变化 TTV: < 3.0 μ m
平整度 TIR : < 2.0 μ m
局部平整度 STIRmax: < 0.3 μ m
翘曲度 :< 20 μ m
颗粒 (# per wafer): < 30 (for size > 0.15 μ m )
150mm抛光硅片
生产方法：直拉（ CZ）
直径： 150.0 ± 0.2
厚度：用户要求或按 SEMI标准
掺杂剂型号： P型/硼、N型/磷
晶相： <100>/<111>
电阻率 ： 0.003-50 Ω. cm
径向电阻率变化： P型<6 N型<25
氧含量与公差： ( 5.0-7.8) x E17± 0.5
径向氧含量变化 ： < 5%
碳含量 ：≤ 2.0 x E16 at/cm -3
金属铁含量 :(Fe) ≤ 1.0 xE11 at/cm -3
表面金属 : 铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 5.0 x E11 at/cm -3
铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙 ≤ 2.0 x E11
总厚度变化 TTV: < 2.5 μ m
平整度 TIR: < 1.2 μ m
局部平整度 STIRmax: < 0.3 μ m
翘曲度 : < 30 μ m
颗粒 (# per wafer): < 30 (for size > 0.2 μ m )
注： 以上参数为常规产品参数，若对产品有特殊的要求需进行协商
多晶硅硅棒
可生产直径：Φ 40mm －Φ 200mm
直径公差 (Tolerance): ≤ 10%
施主水平 : ＞ 300 Ω . ㎝
受主水平 : ＞ 3000 Ω . ㎝
碳含量 : ＜ 2 x E16at/ ㎝ 3
注： 各项参数可按客户要求生产
多晶硅硅粉与单晶硅硅粉
纯度： 99.999
颗粒度： 300目、400目、600目等。
注： 其他参数可根据客户要求生产
半绝缘砷化镓单晶抛光片
直径： 2" 、 3" 、 4" 、 6"
掺杂： 非掺、 Cr
晶向： <100> 、 <111>
低阻砷化镓单晶抛光片
直径： 2" 、 3"
掺杂： Si 、 Cr
晶向： <100> 、 <111>
注：其他参数可根据客户要求生产 |
